LBC857BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LBC857CLT1G Series S-LBC857CLT1G Series PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V ESD Rating – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with 3 RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 30

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC857B (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC857C (DC)
 

BC857C (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC857A (JSCJ)
 

BC857A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC857B (YOUTAI)
 
10 шт
 
P= BC857C (YJ)
 

BC857C (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC857A (YJ)
 

BC857A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC857 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC857B (JSCJ)
 
 
P= BC857B (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= BC857B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC857C (SHIKUES)
 

BC857C (ONS-FAIR)
 
P= BC857CQ (YJ)
 
 
P= BC860B (SHIKUES)
 
SOT-23-3 750 шт
 
P= BC807-16 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= S9015 (YOUTAI)
 
 
P= BC817 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= S9015 SOT-23 (JSCJ)
 
 
P= L9015RLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
A+ BC857BV (JSCJ)
 
SOT-563
 
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ L9015SLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1774RT1G (LRC)
 
 
A+ L2SA1576ART1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC856BLT1G (LRC)
 
в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC807-40WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC807-40LT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC857BTT1G (LRC)
 
 
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC857CLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Файлы 1

показать свернуть
Документация на LBC856ALT1G 

Дата модификации: 27.08.2012

Размер: 159.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.