IRF7311

IRF7311 30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 which provide excellent RDSON and gate charge S2 3 6 D2 for most of the small power switching and G2 4 5 D2 The IRF7311 is the highest performance trench 2N-ch MOSFETs with extreme high cell density, load switch applications. The meet the RoHS and SOP-8 Product requirement with full func...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7311TR (YOUTAI)
 

IRF7311TR (INFIN)
10 шт
 
P- YJS3404A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- NCE9926 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7311TRPBF-VB (VBSEMI)
 
в ленте 200 шт
 
A+ IRF8313 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.