IRF8313

IRF8313 30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The IRF8313 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, S1 1 8 D1 which provide excellent RDSON and gate charge G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 for most of the small power switching and load switch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function relia...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- JMSL0315APD (JIEJIE)
 
 
P- CRMM4832D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
P- IRF8313TRPBF (JSMICRO)
 

IRF8313TRPBF (INFIN)
2000 шт
 
P- NCE30ND09S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
P- WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- YJSD12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ IRF7311 (EVVO)
 

IRF7311 (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ CRMM4818D (CRMICRO)
 
SOP-8
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.