IRFP064N

EVVO
IRFP064N N-Channel MOSFET l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated TO-247AC Description The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —
P= NCE6080AT (NCE)
 
TO-247-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMJ023N08HGS (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
P= CRSQ027N10N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 25 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
P- IRFP064NPBF (JSMICRO)
 

IRFP064NPBF (INFIN) 		— в линейках 30 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRFP064N N-Channel MOSFET l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated TO-247AC Description The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole. D VDSS = 55V RDS(on) = 0.008Ω G ID = 110A† S Absolute Maximum Ratings ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C IDM PD @TC = 25°C VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Parameter Max. Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Single Pulse Avalanche Energy‚ Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt ƒ Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds Mounting torque, 6-32 or M3 srew 110† 80† 390 200 1.3 ± 20 480 59 20 5.0 -55 to + 175 Units A W W/°C V mJ A mJ V/ns °C 300 (1.6mm from case ) 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter RθJC RθCS RθJA Rev:2023A2 Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient 1 Typ. Max. Units ––– 0.24 ––– 0.75 ––– 40 °C/W PDF
Документация на IRFP064N 

杰盛微半导体

Дата модификации: 03.07.2024

Размер: 395.2 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)