NCE60H15AT

NCE
NCE60H15AT http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60H15AT uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =150A Schematic diagram RDS(ON) <3.1mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully chara...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRFP064NPBF (JSMICRO)
 

IRFP064NPBF (INFIN) 		— в линейках 30 шт
 
 — — — —
P- IRFP064N (EVVO)
 

IRFP064N (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 250 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ WMK028N08HGD (WAYON)
 
TO-220-3 10 шт
 
 — — — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMB025N06LG4 (WAYON)
 
— 5 шт
 
 — — — — —
A+ WMB025N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
 — — — — —
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE60H15AT http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60H15AT uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =150A Schematic diagram RDS(ON) <3.1mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! TO-247 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE60H15AT NCE60H15AT TO-247 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 150 A ID (100℃) 105 A Pulsed Drain Current IDM 600 A Maximum Power Dissipation PD 220 W 1.47 W/℃ EAS 1950 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.68 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V2.0 PDF
Документация на NCE60H15AT 

NCE60H15AT NCEPOWER | Alldatasheet NCE60H15AT Datasheet search, databook, component, free download site

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 662 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)