IRFR9120N

IRFR9120 -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFR9120N uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gat e charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-8A RDS(ON) <210m @ VGS=-10V (Typ:145m ) Super high dense cell design Advanced trench process technology Reliable and ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRFR9120N (INFIN)
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 2500  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRFR9120NTR (YOUTAI)
 

IRFR9120NTR (INFIN)
в ленте 2500 шт
 
P= CRTD680P10LQ (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
P- IRFR9120NPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- WMO18P10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- YJD18GP10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- NCE01P13K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.