IRFR9120N
IRFR9120
-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
The IRFR9120N
uses advanced trench technology
and design to provide excellent RDS(ON) with low gat
e charge. It can be used in a wide variety of applications.
It is ESD protested.
General Features
VDS =-100V,ID =-8A
RDS(ON) <210m @ VGS=-10V (Typ:145m )
Super high dense cell design
Advanced trench process technology
Reliable and ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: IRFR9120N (INFIN)
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 7
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | IRFR9120NTR (YOUTAI) IRFR9120NTR (INFIN) | — | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | CRTD680P10LQ (CRMICRO) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
P- | IRFR9120NPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | WMO18P10TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | YJD18GP10A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
P- | CJU12P10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | NCE01P13K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.