2SK3018

Hottech
2SK3018 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  Low on-resistance  Very fast switching  Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment  For Battery management and High speed switch and Low power DC to DC converter applications  Sub-miniature surface mount package SOT-23 (Marking:KN) MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PA 2SK3018 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — ± — — — — —
A+ WM03N01G (WAYON)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — — — —
A+ LNTA7002NT1G (LRC)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ L2SK3541M3T5G (LRC)
 
— ± — — — — —
A+ L2SK3019LT1G (LRC)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ L2SK3018WT1G (LRC)
 
— ± — — — — —
A+ 2SK3541 (JSCJ)
 
SOT-723 — — —
A+ 2SK3019 (JSCJ)
 
SOT-523
 
 — — —
A+ 2SK3018 SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3 — —
A+ 2SK3018 (JSCJ)
 

2SK3018 SOT-23 (JSCJ) 		— 100 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
2SK3018 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  Low on-resistance  Very fast switching  Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment  For Battery management and High speed switch and Low power DC to DC converter applications  Sub-miniature surface mount package SOT-23 (Marking:KN) MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current Power dissipation Thermal resistance from Junction to ambient Junction and Storage temperature Symbol VDS VGS ID PD RθJA TJ,TSTG Value 30 ±20V 0.1 0.35 357 -55 ~+150 Unit V V A W °C/W °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Off Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=10μA Drain-Source breakdown voltage 30 V Zero gate voltage drain current µA VDS=30V, VGS=0V IDSS 0.2 Gate-body leakage current IGSS ±2 µA VDS=0V, VGS=±20V Gate-threshold voltage (note 1) VDS=3V, ID=100μA VGS(th) 0.8 1.5 V Ω VGS=4V, ID=10mA 8 Drain-source on-resistance (note 1) RDS(ON) Ω VGS=2.5V, ID=1mA 13 Forward transconductance (note 1) gFS 20 mS VDS=3V, ID=10mA Dynamic Characteristics Input capacitance Ciss 13 pF Output capacitance Coss 9 pF VDS=5V, VGS=0V, f=1MHz Reverse transfer capacitance Crss 4 pF Switching Characteristics Turn-on delay time td(on) 15 nS Turn-on rise time tr 35 nS VDD=5V,VGS=5V,ID =10mA, Turn-off delay time td(off) 80 nS Rg=10Ω,RL=500Ω Turn-off fall time tf 80 nS Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/4 PDF
Документация на 2SK3018 

Subject:

Дата модификации: 14.06.2019

Размер: 441.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WMJ25N80M3 (WAYON)