HKTG150N03

HKTG150N03 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES z Low on-resistance z Fast switching speed z Easily designed drive circuits z Easy to parallel MECHANICAL DATA z Case: PDFN5x6 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.016 grams (approximate) z Marking:G150N03 z z z MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-sou...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK180N03T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ WMO190N03TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ TSM038N04LCP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM018NB03CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ WMO150N03T1 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
A+ WMK180N03TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB150N03TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMM190N03TS (WAYON)
 
 
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ IRFB7437 (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ IRFB7434 (EVVO)
 
TO220AB в линейках 50 шт
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
HKTG150N03 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES z Low on-resistance z Fast switching speed z Easily designed drive circuits z Easy to parallel MECHANICAL DATA z Case: PDFN5x6 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.016 grams (approximate) z Marking:G150N03 z z z MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current Power dissipation Symbol VDS VGS ID PD RθJA TJ,TSTG Thermal resistance from Junction to ambient Junction and Storage temperature Value 30 ±20V 120 75 20 -55 ~+150 Unit V V A W °C/W °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions Off Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250uA Drain-Source breakdown voltage 30 V V Zero gate voltage drain current µA IDSS 1 DS=30V, VGS=0V Gate-body leakage current IGSS ±100 nA VDS=0V, VGS=±20V Gate-threshold voltage (note 1) VDS=20V,ID=250μA VGS(th) 1.0 1.5 2.4 V Drain-source on-resistance (note 1) Dynamic Characteristics Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance Switching Characteristics Turn-on delay time Turn-on rise time Turn-off delay time Turn-off fall time RDS(ON) 2.7 3.4 mΩ VGS=10V, ID=20A 3.6 6 mΩ VGS=4.5V, ID=20A Ciss Coss Crss 4500 800 640 pF pF pF VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz td(on) tr td(off) tf 11 80 39 92 nS nS nS nS VDD=20V,VGS=10V,ID =4A Rg=3Ω, RL=0.75Ω Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/4 PDF
Документация на HKTG150N03 

Subject:

Дата модификации: 14.06.2019

Размер: 2.45 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 июня
    статья

    30 лет на рынке силовой электроники: продукция Hottech для промышленности и электромобилей

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ), Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Shenzhen Hottech Electronics Co., Ltd. (торговая марка HKT) – китайский производитель силовых полупроводников и пассивных компонентов, основанный в 1992 году. Штаб–квартира расположена в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.