MB10S

Hottech
MB05S-MB10S BRIDGE RECTIFIER FEATURES  Low Reverse voltage leakage current  Glass Passivated Die Construction  Low Forward Voltage Drop  High forward surge current capability  Small Surface Mount device MB-S MECHANICAL DATA  Case: MB-S  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.22 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless oth...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус MBS
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
F~ MBS10 RCG (TSC)
 
MBS в ленте 3000 шт
 
 —
F~ MB10S (YJ)
 

MB10S (ONS-FAIR) 		TO269AA в ленте 2500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 1000V V(RRM), Silicon
F~ MBS10 (TSC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
F~ B10S (DC)
 
DB1MS в ленте 3000 шт —

Файлы 1

показать свернуть
MB05S-MB10S BRIDGE RECTIFIER FEATURES  Low Reverse voltage leakage current  Glass Passivated Die Construction  Low Forward Voltage Drop  High forward surge current capability  Small Surface Mount device MB-S MECHANICAL DATA  Case: MB-S  Case Material: Molded Plastic. UL flammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.22 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol MB05S MB1S MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S Unit Repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V DC Reverse Voltage VR 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS Reverse Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Mean rectifying current IF Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 8.3 ms 0.5/0.8 A IFSM 30 A RθJA 90 °C/W Thermal Resistance From Junction To Ambient Junction Temperature TJ -55 ~+150 °C Storage Temperature TSTG -55 ~+150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Max Unit Conditions Forward voltage VF 1.0 V IF=0.5A Forward voltage VF 1.1 V IF=0.8A Reverse current T=25°C IR 5 uA VR=VRRM Reverse current T=125°C IR 40 uA VR=VRRM Junction capacitance CJ 13 pF V=4VDC,f=1MH © SHENZHEN HOTTECH ELECTRONICS CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/4 PDF
Документация на MB10S 

Subject:

Дата модификации: 02.03.2019

Размер: 572 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)