JMSH0402BGQ-13

JIEJIE
JMSH0402BGQ 40V 2.0mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Typ. Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 40 V VGS(th) 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON) (@ VGS = 10V) 166 A 2.0 mΩ • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Pin Configura...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ JMTC025N04D (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0402BGQ 40V 2.0mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Typ. Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 40 V VGS(th) 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON) (@ VGS = 10V) 166 A 2.0 mΩ • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Pin Configuration Top View Bottom View Top View D 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSH0402BGQ-13 PDFN5x6-8L 8 SH0402BQ 1 -55 to 175 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 166 ID TC = 100°C A 116 Pulsed Drain Current (2) IDM 664 A Avalanche Energy (3) EAS 294 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 125 PD TC = 100°C TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range -55 to 175 10 ID = 20A VDS = 20V 8 6 6 VGS (V) 8 4 2 ID = 20A 4 2 0 0 0 5 10 15 20 0 8 VGS (V) Rev. 1.1 °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS 10 RDS(ON) (mΩ) W 62 16 24 32 40 Qg (nC) Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0402BGQ-13 

JMSH0402BGQ_Rev1.1.xlsx

Дата модификации: 16.03.2023

Размер: 332.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)