JMSH0602AGQ-13

JIEJIE
JMSH0602AGQ 60V 1.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 60 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 168 A 1.9 m • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Top Vie...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ JMSH0601AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0602AGQ 60V 1.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 60 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 168 A 1.9 m • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Top View Pin Configuration Bottom View Top View D 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSH0602AGQ-13 PDFN5x6-8L 8 SH0602AQ 1 -55 to 175 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 60 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V TC = 25°C Continuous Drain Current (1) 168 ID TC = 100°C Pulsed Drain Current (2) A 119 IDM 674 Avalanche Current (3) IAS 40 A Avalanche Energy (3) EAS 240 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 167 PD TC = 100°C Junction & Storage Temperature Range A W 83 -55 to 175 TJ, TSTG °C RDS(ON) vs. VGS Gate Charge 6 10 VDS = 30V ID = 20A ID = 20A 8 4 VGS (V) RDS(ON) (m) 5 3 6 4 2 2 1 0 0 0 2 4 6 8 10 12 0 10 Rev. 1.1 20 30 40 50 60 Qg (nC) VGS (V) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0602AGQ-13 

JMSH0602AGQ_Rev1.1.xlsx

Дата модификации: 23.12.2022

Размер: 410.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)