YJG175G06AR

SUNCOYJ
RoHS YJG175G06AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 175A ＜2.25mohm ＜3.0mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —
A+ NCEP025N60G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP018N60 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CRSQ024N08N (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG175G06AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 175A ＜2.25mohm ＜3.0mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● HalogenFree Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● PD charge ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ 175 Drain Current ID A Tc=100℃ Pulsed Drain Current Unit 110 A Avalanche energy B IDM 700 A EAS 992 mJ Tc=25℃ 140 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 55 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 38 46 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.75 0.9 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG175G06AR F1 G175G06AR 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E175 Rev.1.1,15-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG175G06AR 

Дата модификации: 21.06.2023

Размер: 774.3 Кб

8 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 августа 2023
    новость

    Современные технологии MOSFET азиатских производителей (материалы вебинара)

    8 августа состоялся вебинар, посвященный современным технологиям MOSFET, наиболее развитой группе азиатских производителей. С одной стороны, обилие предложений азиатских MOSFET предоставляет неограниченные возможности для проектирования устройств,... ...читать

    27 апреля 2023
    новость

    Новые MOSFET SUNCOYJ в корпусе DFN5060 для высокочастотных применений

    Во многих областях промышленной и бытовой электроники растет спрос на компоненты с высокой плотностью мощности. Компания SUNCOYJ выпустила серию новых транзисторов MOSFET (таблица 1) в корпусе DFN5060 с усовершенствованной технологией медной... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)