JMSH1004BC-U

JIEJIE
JMSH1004BC JMSH1004BE 100V 3.5mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Parameter Ultra-low RDS(ON) Value Unit 100 V VGS(th)_Typ 2.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 134 A 3.7 mW VDS • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ NCEP01T13A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSH1004BGQ (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSH1004BE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1004AEQ-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1003AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
 — — — — — —
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 450 шт
 
 — — — — — — —
A+ IRFP4110 (EVVO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP01T13AD (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH1004BC JMSH1004BE 100V 3.5mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Parameter Ultra-low RDS(ON) Value Unit 100 V VGS(th)_Typ 2.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 134 A 3.7 mW VDS • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant Applications • Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics • Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems TO-220-3L Top View TO-263-3L Top View D D G G D G S S S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media JMSH1004BC-U TO-220-3L 3 SH1004B N/A -55 to 150 Tube 50 JMSH1004BE-13 TO-263-3L 3 SH1004B 1 -55 to 150 13-inch Reel 800 Quantity (pcs) Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 100 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 134 ID TC = 100°C A 85 Pulsed Drain Current (2) IDM 411 Avalanche Current (3) IAS 45 A Avalanche Energy (3) EAS 304 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 156 PD TC = 100°C -55 to 150 10 VDS = 50V ID = 20A 24 8 18 6 VGS (V) RDS(ON) (mW) °C Gate Charge RDS(ON) vs. VGS 30 12 ID = 20A 4 2 6 0 0 0 5 10 15 20 0 15 VGS (V) Rev. 3.2 W 63 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A 30 45 60 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH1004BC-U 

Дата модификации: 01.11.2023

Размер: 595.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)