JMSH1552AP-13

JIEJIE
JMSH1552AP 150V 43m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-Free Lead Plating Value Unit VDS 150 V VGS(th)_Typ 3.4 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.6 A 43 m • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Cur...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — —
P- CJQ10SN15S (JSCJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ WMS06N15T2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ LNB8930DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8936DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN7925DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH1552AP 150V 43m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter • Ultra-low RDS(ON) • Low Gate Charge • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested • Pb-Free Lead Plating Value Unit VDS 150 V VGS(th)_Typ 3.4 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.6 A 43 m • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Current Switching in DC/DC & AC/DC Sub-systems • Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics SOP-8L Top View SOP-8L Bottom View Top View Pin Configuration D G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSH1552AP-13 SOP-8L 8 SH1552A 3 -55 to 150 13-inch Reel 2500 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 150 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter TA = 25°C Continuous Drain Current (1) 4.6 ID TA = 70°C Pulsed Drain Current (2) A 3.6 IDM 18 (3) IAS 16 A Avalanche Energy (3) EAS 13 mJ Avalanche Current Power Dissipation (4) TA = 25°C 2.5 PD TA = 70°C Junction & Storage Temperature Range -55 to 150 TJ, TSTG °C Gate Charge 120 10 ID = 4.1A VDS = 75V 100 8 80 VGS (V) RDS(ON) (m) W 1.6 RDS(ON) vs. VGS 60 ID = 4.1A 6 4 2 40 0 20 0 5 10 15 20 0 2 VGS (V) Rev. 1.4 A 4 6 8 Qg (nC) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 5 PDF
Документация на JMSH1552AP-13 

JMSH1552AP_Rev1.4.xlsx

Дата модификации: 08.10.2022

Размер: 351.3 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)