CJQ10SN15S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ10SN15S N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 150 V 40mΩ@10V 10A SOP8 DESCRIPTION The CJQ10SN15S uses shielded gate trench technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications APPLICATIONS z Batter...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — —
P- JMSH1552AP-13 (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ WMB690N15HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ LN7910DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ10SN15S N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 150 V 40mΩ@10V 10A SOP8 DESCRIPTION The CJQ10SN15S uses shielded gate trench technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications APPLICATIONS z Battery protection applications z Load switch MARKING Equivalent Circuit Q10SN15S= Device code . Q10SN15S XX 8 D 7 D 6 D 5 D Solid dot=Pin1 indicator Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XX=Code 1 Frontside 2 S 4 3 S S G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID ① 10 A Pulsed Drain Current IDM ② 40 A Power Dissipation PD ⑤ 3.0 W 41.7 ℃/W Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA TJ ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ⑤ 1 -55~+150 ℃ Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJQ10SN15S 

CJQ10SN15S_SOP8_V1.0

Дата модификации: 23.12.2024

Размер: 1.4 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)