JMTM300C02D

JIEJIE
JMTM300C02D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features       Battery Protection RDS(ON) < 30mΩ @ VGS = 4.5V  RDS(ON) < 37mΩ @ VGS = 2.5V  Load Switch Power Management N-channel: 20V, 3.8A P-channel: -20V, -2.8A RDS(ON) < 51mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = -2.5V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) Very Low ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJL6602 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
P- YJS2308A (YJ)
 
SOT236 3000 шт
 
 — —
P- WM02DH50M3 (WAYON)
 
SOT236 в ленте 3000 шт — — — — — —
P- NCE6602N (NCE)
 
SOT236L
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF5851TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTM300C02D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features       Battery Protection RDS(ON) < 30mΩ @ VGS = 4.5V  RDS(ON) < 37mΩ @ VGS = 2.5V  Load Switch Power Management N-channel: 20V, 3.8A P-channel: -20V, -2.8A RDS(ON) < 51mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = -2.5V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) Very Low On-resistance RDS(ON) Fast Switching Speed D2 D1 G2 G1 S2 S1 SOT-23-6L Top View Schematic Diagram Marking and Pin Assignment Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package 300C02D JMTM300C02D TAPING SOT-23-6L Reel Size Reel(pcs) 13" 3000 Per Carton (pcs) 120000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value-N-channel Value-P-channel Units VDS Drain-to-Source Voltage 20 -20 V VGS Gate-to-Source Voltage ID IDM PD RθJA TJ, TSTG Continuous Drain Current ±12 TA = 25°C 3.8 -2.8 TA = 100°C 2.4 -1.8 15 -11 A TA = 25°C 1.03 1.03 W (2) 121 121 °C/W Pulsed Drain Current (1) Power Dissipation Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction & Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd V -55 to 150 1 A °C Version：1.1 PDF
Документация на JMTM300C02D 

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 1.23 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)