CJL6602

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL6602 P-channel and N-channel Complementary MOSFETS P-channel V(BR)DSS SOT-23-6L ID RDS(on)MAX 135 mΩ@-10V -2.3A 185mΩ@-4.5V -30V 265mΩ@-2.5V N-channel V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 60mΩ@10V 3.4A 75mΩ@4.5V 30V 115mΩ@2.5V GENERAL DESCRIPTION The CJL6602 uses advanced trench technology to provide ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJL6602

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WM02DH50M3 (WAYON)
 
SOT236 в ленте 3000 шт — — — — — —
P- NCE6602N (NCE)
 
SOT236L
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS2308A (YJ)
 
SOT236 3000 шт
 
 — —
P- IRF5851TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTM300C02D (JIEJIE)
 
SOT236L 3000 шт
 
 — — — —
A+ WM03DH34M3 (WAYON)
 
SOT236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRF7105TRPBF-VB (VBSEMI)
 
SO-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRF9389 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ CJQ6601 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL6602 P-channel and N-channel Complementary MOSFETS P-channel V(BR)DSS SOT-23-6L ID RDS(on)MAX 135 mΩ@-10V -2.3A 185mΩ@-4.5V -30V 265mΩ@-2.5V N-channel V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 60mΩ@10V 3.4A 75mΩ@4.5V 30V 115mΩ@2.5V GENERAL DESCRIPTION The CJL6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. Equivalent Circuit MARKING L6602 XX L6602=Device code Solid point=Pin1 positioning point XX=Date Code Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage (1) Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (2) Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient(1) Operation Junction and Storage Temperature Range Value Symbol Unit N-channel P-channel VDS 30 -30 V VGS ±12 ±12 V ID 3.4 -2.3 A IDM 30 -30 A PD 0.35 0.35 W RθJA 357 357 ℃/W TJ,Tstg -55~+150 -55~+150 ℃ 1.The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design.The current ratings is based on t≤10s thermal rasistance rating. 2. Repetitive rating,pulse with limited by junction temperature. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJL6602 

Microsoft Word - CJL6601SOT-23-6L A.doc

Дата модификации: 03.06.2020

Размер: 5.65 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)