WM02DH50M3
Document: W0803062, Rev:D
WM02DH50M3
1
Complimentary Pair Enhancement MOSFET
Features
N-Channel: VDS= 20V, ID = 5.0A
RDS(on) < 50mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 70mΩ @ VGS = 2.5V
P-Channel: VDS= -20V, ID = -3.0A
RDS(on) < 70mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 90mΩ @ VGS = 2.5V
Fast Switching Speed
Low Input Capacitance
Green Device Available
SOT-23-6L
Mechanical Characteristi...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT236
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT236 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJL6602 (JSCJ) | SOT236L |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| P- | YJS2308A (YJ) | SOT236 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | NCE6602N (NCE) | SOT236L | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | JMTM300C02D (JIEJIE) | SOT236L | 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | IRF5851TRPBF-VB (VBSEMI) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | NCE20NP1006S (NCE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.