WM02DH50M3
Document: W0803062, Rev:D
WM02DH50M3
1
Complimentary Pair Enhancement MOSFET
Features
N-Channel: VDS= 20V, ID = 5.0A
RDS(on) < 50mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 70mΩ @ VGS = 2.5V
P-Channel: VDS= -20V, ID = -3.0A
RDS(on) < 70mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 90mΩ @ VGS = 2.5V
Fast Switching Speed
Low Input Capacitance
Green Device Available
SOT-23-6L
Mechanical Characteristi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT236
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT236 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | NCE20NP1006S (NCE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.