WM02DH50M3

Document: W0803062, Rev:D WM02DH50M3 1 Complimentary Pair Enhancement MOSFET Features  N-Channel: VDS= 20V, ID = 5.0A RDS(on) < 50mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 70mΩ @ VGS = 2.5V  P-Channel: VDS= -20V, ID = -3.0A RDS(on) < 70mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 90mΩ @ VGS = 2.5V  Fast Switching Speed  Low Input Capacitance  Green Device Available SOT-23-6L Mechanical Characteristi...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCE20NP1006S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.