JMTP4407B

JMTP4407B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -30V, ID= -11A RDS(ON) <16.5mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 24mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- NCE30PD08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- CRTE210P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8
 
P- IRF9362TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRF9362TRPBF (VBSEMI)
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.