JMTP4407B

JIEJIE
JMTP4407B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -30V, ID= -11A RDS(ON) <16.5mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 24mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE30PD08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRTE210P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- IRF9362TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRF9362TRPBF (VBSEMI) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP4407B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -30V, ID= -11A RDS(ON) <16.5mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 24mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 4407B JMTP4407B TAPING SOP-8 13inch 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25℃ -11 A TA = 100℃ -7 A -44 A 64 mJ TA = 25℃ 3.1 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 40 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG note1 note2 Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.1 -1- PDF
Документация на JMTP4407B 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 18.04.2022

Размер: 410.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)