Вход / Регистрация

CJQ4435

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ4435 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 14mΩ@ -10V -30V SOP8 -9.1A 18mΩ@ -4.5V DESCRIPTION The CJQ4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB35P03

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
P- YJS2022A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
 — —
P- WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE30PD08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS4953B (YJ)
 
SOP-8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
P- JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- CRMM4805D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- CRTE210P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- IRF7104TRPBF (JSMICRO)
 

IRF7104TRPBF (INFIN) 		— 575 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP160P03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- JMTP4407B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7104 (EVVO)
 

IRF7104 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF9358 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7328 (EVVO)
 

IRF7328 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 30000 шт — — — — —
P- IRF9362TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRF9362TRPBF (VBSEMI) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ4435 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 14mΩ@ -10V -30V SOP8 -9.1A 18mΩ@ -4.5V DESCRIPTION The CJQ4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. APPLICATIONS z z Battery Switch Load Switch MARKING Q4435 XX Q4435 = device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XX = code Equivalent Circuit D D 8 7 1 D 6 2 3 S S D 5 4 S G Front side MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V -9.1 A Continuous Drain Current ID Pulsed Drain Current IDM Power Dissipation PD Thermal Resistance from Junction to Ambient ② -36 A ⑥ 2.0 W ⑥ 62.5 ℃/W -55~150 ℃ RθJA Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ① TJ, Tstg 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJQ4435 

Microsoft Word - CJQ4435 SOP8 C.doc

Дата модификации: 22.08.2020

Размер: 4.3 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    04 августа 2023
    новость

    Компоненты JSCJ для обвязки MEMS

    Микроэлектромеханические системы (MEMS) прочно заняли нишу измерительных и контролирующих устройств во многих областях применения. Они широко используются в измерительных приборах, медицине, промышленных, автомобильных и авиакосмических системах.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)