JMTQ240C03D

JIEJIE
JMTQ240C03D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features   N-channel:30V, 10A RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 30mΩ @ VGS = 4.5V P-channel: -30V, -8A RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = -10V   Battery Protection  Load Switch  Power Management 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! RDS(ON) < 38mΩ @ VGS =- 4.5V   Excellent Gate Charge x R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMTP240C03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ JMTP170C04D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTQ240C03D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features   N-channel:30V, 10A RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 30mΩ @ VGS = 4.5V P-channel: -30V, -8A RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = -10V   Battery Protection  Load Switch  Power Management 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! RDS(ON) < 38mΩ @ VGS =- 4.5V   Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) Very Low On-resistance RDS(ON) Fast Switching Speed D1 D2 G2 G1 S2 S1 PDFN3x3-8L-D Schematic Diagram Marking and Pin Assignment Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Q240C03D JMTQ240C03D TAPING PDFN3x3-8L-D Reel Size Reel(pcs) 13" Per Carton (pcs) 5000 50000 Value-P-channel Units -30 V Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value-N-channel VDS Drain-to-Source Voltage 30 VGS Gate-to-Source Voltage ID IDM EAS PD Continuous Drain Current ±20 10 -8 TC = 100°C 6.3 -5.1 40 -32 A 12 20 mJ Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation (2) TC = 25°C (3) 15 RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 66 RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 8.3 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range -55 to 150 JieJie Microelectronics Co., Ltd V TC = 25°C 1 A W °C/W °C Version：1.2 PDF
Документация на JMTQ240C03D 

Дата модификации: 17.07.2023

Размер: 793.7 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)