JMTQ250C03D

JIEJIE
JMTQ250C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application  N-Channel: 30V, 9A RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 4.5V  Battery Protection  Load Switch  Power Management  P-Channel: -30V, -5A RDS(ON) < 52mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -4.5V 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FO...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMTP240C03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ JMTP170C04D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
A+ JMTQ170C04D (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTQ250C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application  N-Channel: 30V, 9A RDS(ON) < 21mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 4.5V  Battery Protection  Load Switch  Power Management  P-Channel: -30V, -5A RDS(ON) < 52mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -4.5V 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM)  Very Low On-resistance RDS(ON)  Fast Switching Speed PDFN3x3-8L-D Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) Q250C03D JMTQ250C03D TAPING PDFN3x3-8L-D 13inch 5000 50000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. N-Channel Max. P-Channel Units VDSS Drain-Source Voltage 30 -30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 ±20 V TC = 25℃ 9 -5 A T C= 100℃ 5.9 -3.3 A 36 -20 A 12 12 mJ 2.9 2.2 W 43 57 ℃/W ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJC TJ, TSTG note2 TC= 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd -55 to +150 ℃ Version :1.2 -1- PDF
Документация на JMTQ250C03D 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 16.08.2022

Размер: 585.7 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)