JMTV200P03A
JMTV200P03A
Description
JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET
Applications
Features
-30V, -11A
Load Switch
RDS(ON) < 17.7mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 23.3mΩ @ VGS = -4.5V
PWM Application
Power Management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
D
G
S
Schematic Diagram
Marking and Pin ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN62X2
- Норма упаковки: 3000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | DFN62X2 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJMP3009G (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| P- | WM03P115R (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| P- | NCE30P06J (NCE) | DFN62X2 | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.