NCE30P06J
Pb Free Product
NCE30P06J
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
The NCE30P06J uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
G
voltages .This device is suitable for use as a load switching
application and a wide variety of other applications.
S
General Features
●
Schematic diagram
VDS = -...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN62X2
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | DFN62X2 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJMP3009G (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| P- | WM03P115R (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | JMTV200P03A (JIEJIE) | DFN62X2 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE30P06J
Microsoft Word - NCE30P06J.doc
Дата модификации: 02.11.2016
Размер: 264.5 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.