1N4448WT

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 75 В, ток до 125 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.125A, 75V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BAS16X (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
A- BAS516 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAS716 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
A- BAT46X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
A- 1N4148WTQ (YJ)
 
SOD-523 Small-Signal Fast Switching Diodes
A- 1N4448WT (YJ)
 

1N4448WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 8000 шт
A- 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
A- 1N4148WT (JSCJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 730 шт — —
A- BAS516Q (YJ)
 
SOD-523 Small-Signal Fast Switching Diodes
A- 1SS387 (JSCJ)
 
SOD-523 — —
A- BAS516 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM)
A- LBAS516T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes 1N4448WT FAST SWITCHING DIODE SOD-523 FEATURES     Small Package Low Reverse Current Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion MARKING: T5 T5 The marking bar indicates the cathode Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 150 mW RθJA 833 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Reverse voltage V(BR)1 IR=5μA Reverse voltage V(BR)2 IR=100μA Reverse current IR Forward voltage Total capacitance Reverse recovery time www.jscj-elec.com VF Ctot trr Min Typ Max Unit 75 V 100 V VR =75V 1 µA VR=20V 25 nA IF=5mA 0.715 V IF=10mA 0.855 V IF=100mA 1 V IF=150mA 1.25 V VR=0V,f=1MHz 4 pF IF= IR =10mA, Irr=0.1*IR,RL=100Ω 4 ns 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 1N4448WT 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.3 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes 1N4448WT FAST SWITCHING DIODE SOD-523 FEATURES     Small Package Low Reverse Current Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion MARKING: T5 The marking bar indicates the cathode T5 Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 150 mW RθJA 833 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Reverse voltage V(BR)1 IR=5μA Reverse voltage V(BR)2 IR=100μA Reverse current IR Forward voltage Total capacitance Reverse recovery time www.cj-elec.com Min Typ Max Unit 75 V 100 V VR =75V 1 µA VR=20V 25 nA IF=5mA 0.715 V IF=10mA 0.855 V IF=100mA 1 V IF=150mA 1.25 V VR=0V,f=1MHz 4 pF IF= IR =10mA, Irr=0.1*IR,RL=100Ω 4 ns VF Ctot trr 1 C,Mar,2015 PDF
Документация на 1N4448WT 

Author: Administrator

Дата модификации: 09.03.2015

Размер: 824.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)