1N4448WT

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 80 В, ток до 125 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= L1SS400BST5G (LRC)
 
SOD882
 
 — — — —
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon
P= 1N4448 (DC)
 

1N4448 (ONS-FAIR) 		DO35 в ленте 5000 шт —
P= 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= 1N4448WS (YJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (JSCJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (SHIKUES)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — — — —
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — —
P= 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — —
P= 1N4148WT (SHIKUES)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — — — —
P= 1SS400 (SHIKUES)
 
SOD-523 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
1N4448WT PINNING DESCRIPTION PIN 1N4448WT 1 Cathode 2 Anode Silicon Epitaxial Planar Switching Diode 2 1 Fast Switching Diode Top View Marking Code: "T5" Simplified outline SOD-523 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage VRM 100 V Reverse Voltage VR 80 V IF(AV) 125 mA Forward Continuous Current IFM 250 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (at t = 1 µs) IFSM 0.5 A Power Dissipation Pd 150 mW Junction Temperature Tj 150 O Tstg - 65 to + 150 O Average Rectified Forward Current Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Forward Voltage at IF = 5 mA at IF = 10 mA at IF = 100 mA at IF = 150 mA Reverse Leakage Current at VR = 80 V at VR = 20 V at VR = 75 V, TJ = 150 OC at VR = 25 V, TJ = 150 OC Capacitance at VR = 0.5 V, f = 1 MHz Reverse Recovery Time at IF = IR = 10 mA, Irr = 0.1 X IR , RL = 100 Ω REV.08 1 of 3 C Symbol Min. Max. Unit VF 0.62 - 0.72 0.855 1 1.25 V - 100 25 50 30 nA nA µA µA V(BR)R 80 - V Ctot - 4 pF trr - 4 ns IR Reverse Breakdown Voltage at IR = 100 µA C PDF
Документация на 1N4448WT 

TO-220F-3L-MOS-F7N65L-7A650V.CDR

Дата модификации: 07.07.2022

Размер: 473.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)