BC848S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors BC848S DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 APPLICATION  This device is designed for general purpose amplifier applications Marking : 2C MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Em...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC848C (YJ)
 

BC848C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS4120T (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS4130T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS4230T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS4240T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ S9014-H (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ 2SC3052-G (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847CQ (YJ)
 
— в ленте 5 шт
 
 — — — —
A+ BC847CT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ BC847CWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ BC848CQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC848CT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ BC848CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC848CWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ BC847 1G (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC847C (JSCJ)
 

BC847C (DIODES) 		— 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847C (YOUTAI)
 

BC847C (DIODES) 		— 500 шт
 
 — — — —
A+ BC848C (KLS)
 

BC848C (DIODES) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC848C 420-800 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors BC848S DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 APPLICATION  This device is designed for general purpose amplifier applications Marking : 2C MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current-Continuous 100 mA PD Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Test conditions Min Typ Max Unit Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10µA,IE=0 30 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 30 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA Collector cut-off current ICEO VCE=30V,IE=0 100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB =5V,IC=0 100 nA DC current gain* hFE* VCE=5V,IC=2mA Collector-emitter saturation voltage 800 VCE(sat)(1)* IC=10mA,IB=0.5mA 0.25 V VCE(sat)(2)* IC=100mA,IB=5mA 0.6 V Base-emitter voltage VBE(sat)* Base-emitter voltage VBE(on) * Transition frequency fT Cob Collector output capacitance *pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 420 IC=10mA,IB=0.5mA 0.7 V IC=100mA,IB=5mA 0.9 V VCE=5V,IC=2mA 0.58 VCE=5V,IC=10mA VCE=5V,IC=10mA ,f=100MHz VCB=10V,IE=0,f=1MHz 1 0.7 V 0.77 V 100 MHz 4.5 pF Rev. - 2.0 PDF
Документация на BC848S 

Microsoft Word - BC887S SOT-363 A.doc

Дата модификации: 16.11.2020

Размер: 495.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)