CJ3139K

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS &'( P-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX             95 （TYP） 18 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN %  z Lead Free Product is Acquired z Surface Mount Package z P-Channel Switch with Low RDS(on) z Operated at Low Logic Level Gate Drive  z z z MA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-723
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJL2301C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM02P23M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE2305 (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- IRLML6302 (YOUTAI)
 

IRLML6302 (INFIN) 		SOT-23-3 14000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTL2301C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- CRTJ380P02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS &'( P-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX             95 （TYP） 18 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN %  z Lead Free Product is Acquired z Surface Mount Package z P-Channel Switch with Low RDS(on) z Operated at Low Logic Level Gate Drive  z z z MARKING: 39K Equivalent Circuit   Load/Power Switching Interfacing, Logic Switching Battery Management for Ultra Small Portable Electronics D 39K G S 39K = Device code Solid dot = Green molding compound device.  " # 01#+2# 0#34 $)*"* + , -./ 5*60 +*##+ 7"#   Drain-Source Voltage VDS -20 V Typical Gate-Source Voltage VGS ±2 V Continuous Drain Current (note 1) ID -0.66 A Pulsed Drain Current IDM -1.2 A PD 350 mW RJA 357 /W TJ,TSTG -55~+150  TL 260  (tp=10­s) Power Dissipation (note 1) Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 1) Operation Junction and Storage Temperature Range Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8” from case for 10 s) www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJ3139K 

Microsoft Word - CJ3139K SOT-723 A-1.doc

Дата модификации: 17.04.2023

Размер: 1013.1 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)