WM02P23M

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features    Way-on Small Signal MOSFETs VDS= -20 V, ID = -2.3 A RDS(on) < 115mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 145mΩ @ VGS = -2.5V Trench LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics    SOT-23 Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration Absolute Maximum Rating (TA=25°C unless otherwise noted) Parameter Symb...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJL2301C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ3139K (JSCJ)
 
SOT-723 3000 шт
 
P- NCE2305 (NCE)
 
SOT-23-3
 
±
P- IRLML6302 (YOUTAI)
 

IRLML6302 (INFIN)
SOT-23-3 14000 шт
 
P- JMTL2301C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ380P02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.