CJAB25N04S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N04S N-Channel Power MOSFET RDS(ON)TYP V(BR)DSS 7.5mΩ@10V 40 V ID PDFNWB3.3×3.3-8L 25A 10.5mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJAB25N04S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB10N03

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ IRF7842 (EVVO)
 

IRF7842 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ JMTG60N04B (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAC40N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N04S N-Channel Power MOSFET RDS(ON)TYP V(BR)DSS 7.5mΩ@10V 40 V ID PDFNWB3.3×3.3-8L 25A 10.5mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJAB25N04S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High Power and current handing capability  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Lead free product is acquired APPLICATIONS  SMPS and general purpose applications  Uninterruptible Power Supply  Hard switched and high frequency circuits  Power management MARKING EQUIVALENT CIRCUIT CJAB25N04S = Part No. CJAB 25N04S XX 8 D 7 D 6 D 5 D Solid dot=Pin1 indicator XX=Code 2 1 S 3 S 4 S G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 25 A Pulsed Drain Current IDM 110 A 120 mJ PD 3 W RθJA 41.67 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) TL 260 ℃ Single Pulsed Avalanche Energy EAS Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient (1) (1).EAS condition: VDD=15V,L=0.1mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C (2).Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJAB25N04S 

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 1.52 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)