CJAC40N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC40N04 N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 7.0mΩ@10V 40 V 10mΩ@4.5V PDFNWB5×6-8L 40A DESCRIPTION The CJAC40N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High Power and cu...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ WMO75N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ JMTK4006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ JMTK60N04B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMTG055N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ WMQ050N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJAC40N04 

CJAC40N04_PDFNWB5×6-8L_V2.0

Дата модификации: 22.04.2021

Размер: 2.12 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.