CJAC100P03

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC100P03 P-Channel Power V(BR)DSS MOSFET RDS(on)TYP 2.3mΩ@-10V -30 V 3.4mΩ@-4.5V ID PDFN:%5×6-8L -100A DESCRIPTION The CJAC100P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  Battery sw...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB35P03

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMB90P03TS (WAYON)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- NCEP40PT15G (NCE)
 
—
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC100P03 P-Channel Power V(BR)DSS MOSFET RDS(on)TYP 2.3mΩ@-10V -30 V 3.4mΩ@-4.5V ID PDFN:%5×6-8L -100A DESCRIPTION The CJAC100P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  Battery switch  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Special process technology for high ESD  Fully characterized avalanche voltage and capability current APPLICATIONS  SMPS and general purpose applications  Hard switched and high frequency circuits  Uninterruptible Power Supply EQUIVALENT CIRCUIT MARKING D CJAC100P03 = Part No. CJAC 100P03 XX D 7 8 D D 5 6 Solid dot = Pin1 indicator XX = Code 1 2 S S 4 3 S G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID Pulsed Drain Current Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient A IDM -400 A EAS ③ 100 mJ PD ① 104 W 62.5 ℃/W 1.2 ℃/W -55~150 ℃ RθJA RθJC Thermal Resistance from Junction to Case Storage and Operating Junction Temperature www.jscj-elec.com -100 ② ① ⑥ ① Tstg, TJ 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJAC100P03 

Дата модификации: 20.10.2021

Размер: 1.19 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)