WMB90P03TS

WMB90P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB90P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D D D D D s ss superior switching performance. Features  D DD G G ss PDFN5060-8L VDS= -30V, ID = -90A RDS(on) < 4.5mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 6.2mΩ @ VGS = -4.5V  Green Dev...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC100P03 (JSCJ)
 
в ленте 30 шт
 
±
P- NCEP40PT15G (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.