WMB90P03TS
WMB90P03TS
30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB90P03TS uses advanced power trench technology that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
D
D
D
D
D
s
ss
superior switching performance.
Features
D
DD
G
G
ss
PDFN5060-8L
VDS= -30V, ID = -90A
RDS(on) < 4.5mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 6.2mΩ @ VGS = -4.5V
Green Dev...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJAC100P03 (JSCJ) | — | в ленте 30 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| P- | NCEP40PT15G (NCE) | — | ± | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB90P03TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 01.08.2023
Размер: 622.9 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.