NCEP40PT15G

NCE
Pb Free Product NCEP40PT15G http://www.ncepower.com NCE P-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The NCEP40PT15G uses Super Trench technology that is ● VDS =-40V,ID =-150A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=-10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.9mΩ (typical) @ VGS=-4....
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC100P03 (JSCJ)
 
— в ленте 30 шт
 
 ± — — — — —
P- WMB90P03TS (WAYON)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP40PT15G http://www.ncepower.com NCE P-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The NCEP40PT15G uses Super Trench technology that is ● VDS =-40V,ID =-150A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=-10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.9mΩ (typical) @ VGS=-4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature Application ●DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P40PT15G NCEP40PT15G DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (TC=25℃) ID (TC=25℃) -150 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (TC=100℃) -120 A IDM -600 A PD(TC=25℃) 150 W 1.2 W/℃ EAS 1076 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 0.83 ℃/W Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation(TC=25℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCEP40PT15G 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 02.06.2022

Размер: 1022.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)