CJAC70P06

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70P06 P-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 7.6mΩ@-10V -60V PDFNWB5×6-8L -70A 9.2mΩ@-4.5V DESCRIPTION The CJAC70P06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  Battery swit...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB06P06

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJG80GP06B (YJ)
 
— 10 шт
 
 — — — — — — —
P= WMB95P06TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC70P06 P-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 7.6mΩ@-10V -60V PDFNWB5×6-8L -70A 9.2mΩ@-4.5V DESCRIPTION The CJAC70P06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  Battery switch  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Special process technology for high ESD  Fully characterized avalanche voltage and capability current APPLICATIONS  SMPS and general purpose applications  Hard switched and high frequency circuits  Uninterruptible Power Supply EQUIVALENT CIRCUIT MARKING D 8 D 7 D 6 D 5 &-$&70P06 3DUW1R CJAC 70P06 XX 6ROLGGRW ;; 3LQLQGLFDWRU &RGH 1 S 2 S 3 S 4 G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ① Continuous Drain Current ID -70 A Pulsed Drain Current IDM② -280 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS③ 320 mJ Power Dissipation 115 W RθJA⑥ 62.5 ℃/W ① 1.09 ℃/W -55 ~+150 ℃ PD Thermal Resistance from Junction to Ambient ① Thermal Resistance from Junction to Case RθJC Junction Temperature and Storage Temperature Range TJ Tstg www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJAC70P06 

Дата модификации: 10.03.2021

Размер: 1.04 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)