WMB95P06TS
WMB95P06TS
60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB95P06TS uses advanced power trench technology that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
D
D
D
D
D
superior switching performance.
s
ss
D
DD
G
G
ss
Features
PDFN5060-8L
VDS= -60V, ID = -86A
RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 13mΩ @ VGS = -4.5V
Green Devic...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB95P06TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 04.01.2024
Размер: 981.3 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.