CJBD3020

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS CJBD3020 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP 9.5mΩ@10V 30 V 14.5mΩ@4.5V ID PDFNWB3.3×3.3-8L-B 20A 8 DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications 1 2 3 7 D...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAC20N06D

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJQ3622A (YJ)
 
— в ленте 30 шт
 
 — —
A+ YJQD25N04A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ CJBM3020 (JSCJ)
 
— ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS CJBD3020 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP 9.5mΩ@10V 30 V 14.5mΩ@4.5V ID PDFNWB3.3×3.3-8L-B 20A 8 DESCRIPTION The CJBD3020 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications 1 2 3 7 D2 6 5 G2 4 S2 G1 D2 D1 D1 S1 FEATURES  Battery switch  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Special process technology for high ESD  Fully characterized avalanche voltage and capability current APPLICATIONS  SMPS and general purpose applications  Uninterruptible Power Supply  Hard switched and high frequency circuits MARKING D1 D1 D2 D2 D3020 xx EQUIVALENT CIRCUIT D3020=Part No. Solid dot=Pin1 indicator XX=Date Code S1 G1 S2 G2 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 20 A Pulsed Drain Current IDM 100 A 70 mJ PD 1.5 W RθJA 83.3 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) TL 260 ℃ Single Pulsed Avalanche Energy EAS Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient (1) (1).EAS condition: VDD=15V,L=0.14mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C (2).Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJBD3020 

Дата модификации: 11.11.2020

Размер: 1.1 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 апреля 2023
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

    Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)