CJBM3020
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB3×3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJBM3020
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
8.8mΩ@10V
30 V
ID
DFNWB3×3-8L
S2 S2 S2 G2
20A
15mΩ@4.5V
S1/D2
D1
DESCRIPTION
The CJBM3020 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
D1 D1 D1 G...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMQ30N03T2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | NCE3020Q (NCE) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | JMTQ120N03A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJQ3622A (YJ) | — | в ленте 30 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJQD25N04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.