NCE3020Q

NCE3020Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3020Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =20A Schematic Diagram RDS(ON) <8mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <12mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra l...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMQ098N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
P- WMQ30N03T2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
P- CJU80N03 (JSCJ)
 
 
P- YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
P- WMO70N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJAB35SN03 (JSCJ)
 
 
±
P- CJBM3020 (JSCJ)
 
±
P- JMTQ120N03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
P- IRFR3707Z (EVVO)
 

IRFR3707Z (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CJAB25N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ YJQ30N03A (YJ)
 
DFN30308 5000 шт
 
A+ YJQ35N04A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJG40N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
A+ CJAB35N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
в ленте 20 шт
 
±
A+ YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
A+ IRF8736 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ CRTE045N03L (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ080N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ IRF7842 (EVVO)
 

IRF7842 (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
88 шт
 
±
A+ WMQ052N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ40N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
±
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ CJAB35N03S (JSCJ)
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE3020Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3020Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =20A Schematic Diagram RDS(ON) <8mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <12mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized Avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation pin assignment ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard Switched and High Frequency Circuits ● Uninterruptible Power Supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! Top View Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE3020Q NCE3020Q DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Limit Unit 30 V ±20 V ID 20 A ID (100℃) 14.1 A Pulsed Drain Current IDM 80 A Maximum Power Dissipation PD 20 W 0.27 W/℃ 72 mJ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy VDS Spike (Note 6) (Note 5) EAS 10μs 36 Operating Junction and Storage Temperature Range V TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 6.25 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE3020Q 

Microsoft Word - NCE3020Q data sheet1.doc

Дата модификации: 23.04.2020

Размер: 355.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.