CJCD2003
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJCD2003
DFNWB2×3-6L
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
6.2 mΩ@4.5V
6.4 mΩ@4.0V
18V
12A
6.8 mΩ@ 3.8V
7.2 mΩ@3.1V
8.2 mΩ@2.5V
DESCRIPTION
The CJCD2003 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is
suitable for use as...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | CJAE2002 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.