CJCD2007
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJCD2007
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
DFNWB2×3-6L
ID
RDS(on)TYP
12.5 mΩ@4.5V
13 mΩ@4.0V
20V
8A
13.5 mΩ@3.8V
14.5 mΩ@ 3.1V
17mΩ@2.5V
DESCRIPTION
The
CJCD2007
uses
advanced
trench
technology
to
provide
excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is
suitable for...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | CJCD2004 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJCD2005 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJS8804 (JSCJ) | TSSOP-8 |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.