Вход / Регистрация

CJCD2007

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJCD2007 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS DFNWB2×3-6L ID RDS(on)TYP 12.5 mΩ@4.5V 13 mΩ@4.0V 20V 8A 13.5 mΩ@3.8V 14.5 mΩ@ 3.1V 17mΩ@2.5V DESCRIPTION The CJCD2007 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJCD2003

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJ4506SP (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJ6617SP (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJND2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJBE5005 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ CJS9004 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJCD2007 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS DFNWB2×3-6L ID RDS(on)TYP 12.5 mΩ@4.5V 13 mΩ@4.0V 20V 8A 13.5 mΩ@3.8V 14.5 mΩ@ 3.1V 17mΩ@2.5V DESCRIPTION The CJCD2007 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch,facilitated by its common-drain configuration. Equivalent Circuit MARKING: G2 S2 S2 2007 = Part No. D1/D2 XX XX = Code. G1 Top Solid dot = Pin1 indicator. S1 S1 Back MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V ID 8 A Pulsed Drain Current IDM * 45 A Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 83.3 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s) TL 260 ℃ Continuous Drain Current www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.2 PDF
Документация на CJCD2007 

Author: Administrator

Дата модификации: 23.04.2021

Размер: 2.49 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 мая 2023
    новость

    Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

    Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)