CJL2013
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJL2013
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
SOT-23-6L
12.2 mΩ@4.5V
12.9 mΩ@3.8V
20V
6A
13.6 mΩ@3.1V
14.9 mΩ@2.5V
FEATURE
z TrenchFET Power MOSFET
z Excellent RDS(on)
z Low Gate Charge
z High Power and Current Handing Capability
z Surface Mount Package
APPLICATION
z Battery Protection
z L...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT236L
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT236L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | CJCD2004 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJCD2005 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJCD2007 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJS8804 (JSCJ) | TSSOP-8 |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | LDN2012DT2AG (LRC) | DFN2030 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.