YJS2305A
RoHS
YJS2305A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V)
● 100% ▽VDS Tested
-20V
-5.4A
<39mohm
<49mohm
<63mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High Power and Current handing capability
● Low Gate Charge
SOT-23-6L
Applications
● Battery prote...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 15000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CJL3407 (JSCJ) | SOT236L |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | CJL3415 (JSCJ) | SOT236L |
| — | |||||||||||||
P- | NCE20P07N (NCE) | SOT236L | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJS2305AF2
Microsoft Word - YJS2305A Rev 3.0
Дата модификации: 24.09.2020
Размер: 1.29 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.