CJL3415

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ/3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V SOT-23-6L 100mΩ@-1. 8V FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage APPLICATION Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capability Equivalent Circuit MARKING: R...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJL3415

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS2305A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
P- NCE20P07N (NCE)
 
SOT236L
 
 ± — — — —
P- IRLMS6802TRPBF (JSMICRO)
 

IRLMS6802TRPBF (INFIN)
IRLMS6802TRPBF (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRLMS6802TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ/3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V SOT-23-6L 100mΩ@-1. 8V FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage APPLICATION Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capability Equivalent Circuit MARKING: R15 XX R15=Device code Solid point=Pin1 positioning point XX=Date Code PIN1 Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 Pulsed Drain Current (note1) IDM -30 A Maximum Power Dissipation (note2) PD 1.5 W Thermal Resistance from Junction to Ambient (note2) RθJA 82.5 Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 ~+150 www.jscj-elec.com 1 V A  ℃/W ℃ Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJL3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 21.02.2023

Размер: 965.2 Кб

5 стр.

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ/3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V SOT-23-6L 100mΩ@-1. 8V FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage APPLICATION Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capability Equivalent Circuit MARKING: R15 XX R15=Device code Solid point=Pin1 positioning point XX=Date Code PIN1 Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 Pulsed Drain Current (note1) IDM -30 A Maximum Power Dissipation (t≤10s) PD 0.35 W RθJA 357 TJ,TSTG -55 ~+150 Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 V A  ℃/W ℃ Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJL3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 03.06.2020

Размер: 3.33 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)