Вход / Регистрация

CJL3415

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ/3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V SOT-23-6L 100mΩ@-1. 8V FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage APPLICATION Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capability Equivalent Circuit MARKING: R...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJL3415

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS2305A (YJ)
 
— в ленте 15000 шт
 
 — —
P- NCE20P07N (NCE)
 
SOT236L
 
 ± — — — —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ/3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V SOT-23-6L 100mΩ@-1. 8V FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage APPLICATION Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capability Equivalent Circuit MARKING: R15 XX R15=Device code Solid point=Pin1 positioning point XX=Date Code PIN1 Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 Pulsed Drain Current (note1) IDM -30 A Maximum Power Dissipation (note2) PD 1.5 W Thermal Resistance from Junction to Ambient (note2) RθJA 82.5 Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 ~+150 www.jscj-elec.com 1 V A  ℃/W ℃ Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJL3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 21.02.2023

Размер: 965.2 Кб

5 стр.

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ/3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V SOT-23-6L 100mΩ@-1. 8V FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage APPLICATION Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capability Equivalent Circuit MARKING: R15 XX R15=Device code Solid point=Pin1 positioning point XX=Date Code PIN1 Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 Pulsed Drain Current (note1) IDM -30 A Maximum Power Dissipation (t≤10s) PD 0.35 W RθJA 357 TJ,TSTG -55 ~+150 Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 V A  ℃/W ℃ Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJL3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 03.06.2020

Размер: 3.33 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)