NCE20P07N

NCE20P07N http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20P07N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. General Features ● VDS = -20V,ID =-7A Schematic diagram RDS(ON) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJL2301 (JSCJ)
 
SOT236L в ленте 3000 шт
 
±
P- CJL3415 (JSCJ)
 
SOT236L
P- YJS2305A (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P- YJJ09N03A (YJ)
 
в ленте 3000 шт
P- CJAB35N03S (JSCJ)
 
±
P- IRLTS2242TR (JSMICRO)
 
в ленте 200 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE20P07N 

Microsoft Word - NCE20P07N data sheet.doc

Дата модификации: 28.11.2018

Размер: 277.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.