CJPF02N65

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS CJPF02N65 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS 650V RDS(on)TYP ID 3.8Ω@10V 2A TO-220F GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desi...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRFRC20TRPBF (VBSEMI)
 
в ленте 2500 шт
 
A+ TSM4NB65CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
A+ TSM4N70CH C5G (TSC)
 
TO252 в линейках 75 шт
 
A+ CJU04N65 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WML04N65C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMF07N70C2 (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMP07N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP04N65C2 (WAYON)
 
TO251
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJPF02N65 

Microsoft Word - CJPF02N65 TO-220F A.doc

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 952.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.