STD123S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors STD123S TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application z Extremely low collector saturation voltage z z Suitable for low voltage large current drivers High DC current gain and large current capability z Low on resistance : RON=0.6Ω(Max.) (IB=1mA) z 1. BASE 2. EMITTER 3. COL...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT618 (JSCJ)
 

FMMT618 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BCW66H (JSCJ)
 
— в ленте 1200 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3
 
 — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBT1616A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 20 шт
 
 — — — —
A+ D965 (JSCJ)
 
TO-92-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors STD123S TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application z Extremely low collector saturation voltage z z Suitable for low voltage large current drivers High DC current gain and large current capability z Low on resistance : RON=0.6Ω(Max.) (IB=1mA) z 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Marking:123 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-Base Voltage 6.5 V 1 A IC Collector Current PC Collector Power Dissipation 350 mW RΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 357 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55～+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Collector-base breakdown voltage V (BR) CBO IC=50μA, IE=0 20 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR) CEO IC =1mA, IB=0 15 V Emitter-base breakdown voltage V (BR) EBO IE= 50μA, IC=0 6.5 V Collector cut-off current ICBO VCB= 20 V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 6V, IC=0 0.1 μA DC current gain hFE VCE=1V, IC= 100mA 0.3 V Collector-emitter saturation voltage Transition frequency VCE (sat) fT Collector output capacitance Cob On resistance RON www.jscj-elec.com Min Typ IC=50mA VCB=10V, IE=0, f=1MHz f=1KHz,IB=1mA, VIN=0.3V 1 Unit 150 IC=500mA, IB= 50mA VCE=5V, Max 260 MHz 5 pF 0.6 Ω Rev. - 2.0 PDF
Документация на STD123S 

Microsoft Word - STD123S_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 707.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)