LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LH8050PLT1G Series FEATURE 3 ƽHigh current capacity in compact package. IC =1.5A. 1 ƽEpitaxial planar type. 2 ƽNPN complement: LH8050 ƽPb-Free Package is available. SOT–23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Marking Shipping LH8050PLT1G KEO 3000/Tape&Reel LH8050PLT3G KEO 10000/Tape&Reel LH8050QLT1G...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1802T (SHIKUES)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
A+ LBSS4350SY3T1G (LRC)
 
 
A+ LBSS4250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBSS4350SZ4TZHG (LRC)
 
 
A+ PBSS4350X (YJ)
 
SOT-89 1000 шт
 
A+ 2SC3647G-S-AB3-R (UTC)
 
SOT-89
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 
A+ PZT1816G-S-AA3-R (UTC)
 
A+ 2SD1624G-T-AB3-R (UTC)
 
A+ 2SD1816L-S-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.