MMBT2222A

Shikues
MMBT2222A TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) 1．BASE 2．EMITTER 3．COLLECTOR MARKING: 1P MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO Parameter Value Units Collector-Base Voltage 75 V Collector-Emitter Voltage 40 V 6 V IC Collector Current -Continuous 600 mA PC RθJA Collector Diss...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 30

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= LMBT2222ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= S-LMBT2222ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT2222A-G (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
P= MMBT2222A (YJ)
 

MMBT2222A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT2222AQ (YJ)
 
—
 
 — — — —
A+ PMMT491A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ BCX56-16 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ BCX55-16 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40 (YJ)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BCP56-16 (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-25 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-16 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BCX54-16 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBT4401 (JSCJ)
 

MMBT4401 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BCX56-16 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ BCV47 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BCP56-16 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — — —
A+ BC817W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
MMBT2222A TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) 1．BASE 2．EMITTER 3．COLLECTOR MARKING: 1P MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO Parameter Value Units Collector-Base Voltage 75 V Collector-Emitter Voltage 40 V 6 V IC Collector Current -Continuous 600 mA PC RθJA Collector Dissipation 250 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient 500 ℃/W 150 ℃ VEBO TJ Tstg Emitter-Base Voltage Junction Temperature Storage Temperature -55to+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Symbol V(BR)CBO * Test conditions Min Typ Max Unit IC= 10μA, IE=0 75 V IC= 10mA, IB=0 40 V 6 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0.01 µA Collector cut-off current ICEX VCE=30V, VBE(off)=3V 0.01 µA Emitter cut-off current IEBO 0.1 µA hFE(1) DC current gain hFE(2) hFE(3) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage VEB= 3V, IC=0 * * VCE(sat) * VBE(sat) * Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf VCE=10V, IC= 150mA 100 VCE=10V, IC= 0.1mA 35 VCE=10V, IC= 500mA 40 IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA VCE=20V, IC= 20mA, f=100MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA , IB1= 15mA VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2=15mA *pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%. REV.08 1 of 3 300 1 0.3 2.0 1.2 300 V V MHz 10 nS 25 nS 225 nS 60 nS PDF
Документация на MMBT2222A 

Subject:

Дата модификации: 30.05.2011

Размер: 624.3 Кб

3 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)