Вход / Регистрация

MMBT2222A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBT2222A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Value Symbol Collector-Base Voltage 75 VCBO 40 VCEO Collector-Emitter Voltage 6 VEBO Emitter-Base Voltage Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT2222A (YJ)
 

MMBT2222A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= LMBT2222ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3 1 шт
 
 — — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= MMBT2222A (SHIKUES)
 

MMBT2222A (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= S-LMBT2222ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT2222A-G (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— 200 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBTA06Q (YJ)
 
SOT-23-3 300 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBT2222A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Value Symbol Collector-Base Voltage 75 VCBO 40 VCEO Collector-Emitter Voltage 6 VEBO Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous 600 IC Collector Dissipation 300 PC Thermal Resistance, Junction to Ambient 417 RΘJA Operation Junction and Storage -55~+150 TJ,Tstg Temperature Range 2.EMITTER 3.COLLECTOR Unit V V V mA mW ℃/W ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Pa rameter Symbol Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO T est conditions Min Typ Max Unit IC= 10μA, IE=0 75 V IC= 10mA, IB=0 40 V 6 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0.01 μA Collector cut-off current ICEX VCE=30V,VBE(off)=3V 0.01 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 3V, IC=0 0.1 μA hFE(1) DC current gain * * hFE(2) hFE(3) * Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) * Base-emitter saturation voltage VBE(sat) * Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf VCE=10V, IC= 150mA 100 VCE=10V, IC= 0.1mA 40 VCE=10V, IC= 500mA 42 IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA VCE=20V, IC= 20mA, f=100MHz 300 1 0.3 2.0 1.2 300 V V MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA , IB1= 15mA 10 ns 25 ns VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2=15mA 225 ns 60 ns *pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE(1) RANK L H RANGE 100–200 200–300 MARKING 13 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT2222A 

Microsoft Word - MMBT2222A SOT-23 格力.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 778.8 Кб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)