MMBT2222A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBT2222A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Value Symbol Collector-Base Voltage 75 VCBO 40 VCEO Collector-Emitter Voltage 6 VEBO Emitter-Base Voltage Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT2222A-G (JSCJ)
 
 
P= S-LMBT2222ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
P= MMBT2222A (SHIKUES)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3
 
P= LMBT2222ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= MMBT2222A (YJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT2222AQ (YJ)
 
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
200 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06Q (YJ)
 
SOT-23-3 300 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS4130T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ MMST2222AQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ MMBT5551Q (YJ)
 
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS4230T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBT2222A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Value Symbol Collector-Base Voltage 75 VCBO 40 VCEO Collector-Emitter Voltage 6 VEBO Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous 600 IC Collector Dissipation 300 PC Thermal Resistance, Junction to Ambient 417 RΘJA Operation Junction and Storage -55~+150 TJ,Tstg Temperature Range 2.EMITTER 3.COLLECTOR Unit V V V mA mW ℃/W ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Pa rameter Symbol Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO T est conditions Min Typ Max Unit IC= 10μA, IE=0 75 V IC= 10mA, IB=0 40 V 6 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0.01 μA Collector cut-off current ICEX VCE=30V,VBE(off)=3V 0.01 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 3V, IC=0 0.1 μA hFE(1) DC current gain * * hFE(2) hFE(3) * Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) * Base-emitter saturation voltage VBE(sat) * Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf VCE=10V, IC= 150mA 100 VCE=10V, IC= 0.1mA 40 VCE=10V, IC= 500mA 42 IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA VCE=20V, IC= 20mA, f=100MHz 300 1 0.3 2.0 1.2 300 V V MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA , IB1= 15mA 10 ns 25 ns VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2=15mA 225 ns 60 ns *pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE(1) RANK L H RANGE 100–200 200–300 MARKING 13 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT2222A 

Microsoft Word - MMBT2222A SOT-23 格力.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 778.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.